(绝缘栅双极晶体管)将BJT和MOSFET的最佳部分结合到一个晶体管中。它具有MOSFET(绝缘栅极)的输入特性(高输入阻抗)和BJT(双极性质)的输出特性。
IGBT或绝缘栅双极晶体管是BJT和MOSFET的组合。它的姓名也暗示了它们之间的交融。“绝缘栅”是指MOSFET的输入部分具有极高的输入阻抗。它不吸收任何输入电流，而是在其门端电压上作业。“双极”是指BJT的输出部分具有双极性质，其间电流是由两种类型的载流子引起的。它答应它处理非常大的电流和电压运用小电压信号。这种混合组合使IGBT成为电压操控器材。
它是一种具有三个PN结的四层PNPN器材。它有三个终端门(G)，集电极(C)和发射极(E)。终端的姓名也代表着取自两个晶体管。栅极终端，由于它是输入部分，取自MOSFET，而集电极和发射极，由于它们是输出，取自BJT。
IGBT由四层半导体构成PNPN结构。集电极(C)连接在P层上，发射极(E)连接在P层和N层之间。P+衬底用于构建IGBT。在其上放置N层构成PN结J1。在N层上制备了两个P区，构成PN结J2。P区是这样规划的，以便在中心为栅极(G)电极留下一条途径。如图所示，N+区域分散在P区域上。
发射极和栅极是金属电极。发射器直接连接到N+区域，而栅极则运用二氧化硅层进行绝缘。碱性P+层向N层注入孔洞，这便是为什么它被称为注入层。而N层称为漂移区。其厚度与电压阻断才能成正比。上面的P层被称为IGBT的主体。
所述N层被规划为具有在发射极和集电极之间经过在栅电极电压影响下发生的沟道的电流流过的通路。
咱们知道IGBT是MOSFET的输入和BJT的输出的组合，它具有与n沟道MOSFET和PNP BJT在达灵顿装备中的等效结构。漂移区的阻力也可优先考虑在内。
假如咱们看一下上面IGBT的结构，就会发现电流活动的途径不止一条。电流途径从集电极指向发射极。第一个途径是“集电极，P+衬底，N-， P -发射极”。这个途径现已提到了在等效结构中运用PNP晶体管。第二条途径是“集电极，P+衬底，N-， P, N+，发射极”。为了包含这条途径，必须在结构中包含另一个NPN晶体管，如下图所示。
IGBT集电极(C)和发射极(E)的两个端子用于导通电流，栅极(G)用于操控IGBT。它的作业原理是根据栅极-发射极和集电极-发射极之间的偏置。
将集电极-发射极连接到Vcc，使得集电极坚持在比发射极高的正电压。j1变成正向偏置，j2变成反向偏置。此刻，栅极处没有电压。由于反向j2, IGBT坚持封闭，没有电流将在集电极和发射极之间活动。
施加比发射极正的栅极电压VG，由于电容效果，负电荷将在SiO2层正下方积累。增加VG会增加电荷的数量，当VG超越阈值电压时，在p区上部终究构成一层电荷。该层构成N-通道，短化N漂区和N+区。
从发射极流出的电子从N+区流入N漂移区。而集电极上的空穴则从P+区注入到N漂移区。由于漂移区中电子和空穴的过量，使其电导率增加，并开端传导电流。因而，IGBT开关翻开。
根据包含N+缓冲层的IGBT有两种类型。这个额定层的包含将它们分为对称的和不对称的IGBT。
经过IGBT打孔包含N+缓冲层，由于它也被称为不对称IGBT。它们具有不对称的电压阻断才能，即它们的正向和反向击穿电压是不同的。它们的反向击穿电压小于正向击穿电压。它具有更快的切换速度。
经过igbt的穿孔是单向的，不能处理反向电压。因而，它们被用于直流电路，如逆变器和斩波电路。
由于没有额定的N+缓冲层，它们也被称为对称IGBT。结构的对称性供给了对称的击穿电压特性，即正向击穿电压和反向击穿电压持平。由于这个原因，它们被用于交流电路中。
与BJT不同，IGBT是一种电压操控器材，其栅极只需求一个小电压来操控集电极电流。但是，栅极-发射极电压VGE需求大于阈值电压。
IGBT的传输特性显现了输入电压VGE与输出集电极电流IC的联系，当VGE为0v时，没有IC，设备坚持封闭状况。当VGE略有增加但坚持在阈值电压VGET以下时，器材坚持断开状况，但存在漏电流。当VGE超越阈值时，I-C开端增加，设备上电。由于它是一个单向设备，所以电流只向一个方向活动。
该图显现了不同电压梯度下集电极电流与集电极-发射极电压的联系。在VGEVGET时，IGBT进入自动形式，IC跟着VCE的增加而增加。此外，关于VGE1
反向电压不该超越反向击穿极限。正向电压也是。假如它们超越各自的击穿约束，不受操控的电流开端经过它。
正如咱们上面所评论的，IGBT采用了BJT和MOSFET的最佳部分。因而，它在简直一切方面都是优胜的。以下是IGBT、BJT和MOSFET的一些特性比照图。咱们正在比较功率器材的最大功能。
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注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使
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